[21a-PA2-1~31] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-PA2-8] 電子強誘電体YbFe₂O₄薄膜のエピタキシャル成長過程におよぼす下部電極の影響

〇嶋本 健人¹、三浦 光平¹、田中 淳平¹、桐谷 乃輔¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大工)

キーワード：RFe2O4、電子強誘電体、下部電極

RFe₂O₄(R:希土類)は、電荷のフラストレーションによって電荷秩序構造が形成する電子強誘電体である。これまでに、電界誘起物性を評価するために重要となるPt電極上にもエピタキシャル成長することを報告しているが、8%もの格子不整合によって表面平坦性などの問題が顕在化している。高い導電性とキャリア濃度、広いバンドギャップを有する透明導電性酸化物(111)ITOエピタキシャル薄膜は、六方晶YbFe₂O₄薄膜と基板間の格子不整合を狭小化(-3.5%)するバッファー層である。本発表では、(111)ITO薄膜をはじめとする下部電極がYbFe₂O₄エピタキシャル成長におよぼす影響について議論する