[21a-PA3-1~7] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[21a-PA3-1] Sb 添加β-FeSi₂ エピタキシャル膜におけるSi/Fe 組成比の最適化

〇木下 涼太¹、阿部 光希¹、江口 元¹、寺井 慶和¹ (1.九工大情報工)

キーワード：β-FeSi2、Sb添加

我々はβ-FeSi₂エピタキシャル膜の電子密度制御を目的にSb添加β-FeSi₂エピタキシャル膜を作製し，N₂雰囲気中600 °C の活性化処理を行った試料において6 × 10¹⁸ cm^-3の電子密度を得ることに成功した．本研究では，エピタキシャル成長時のSi/Fe組成比を変化させてSb添加β-FeSi₂エピタキシャル膜を作製し，電子密度とSb置換サイトのSi/Fe組成比依存性を検証した．