2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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[21a-PB1-1~86] 17 ナノカーボン(ポスター)

2019年9月21日(土) 09:30 〜 11:30 PB1 (第二体育館)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-69] 乱流を用いたCVD法によるMoO2 ナノワイヤの成長メカニズムおよびその硫化によるMoS2 の合成

〇(M1)後藤 真菜美1、柳瀬 隆2、長浜 太郎2、島田 敏宏2 (1.北大院総化、2.北大院工)

キーワード:MoS2、CVD、ナノワイヤ

二硫化モリブデン(MoS2)は層状物質の一種であり、高い安定性や優れた電気伝導性を有する。特にMoS2 ナノチューブ(NT)は半導体や触媒としてのさらなる高機能化が期待されている。本研究室ではFeOナノ粒子触媒を用いたCVD法によりMoS2ナノチューブの合成に成功している。本実験では乱流を用いて、より簡便なMoS2 NTの合成を試みた。本手法では触媒とMoS2 NTの分離が必要ない。