[21a-PB1-1~86] 17 ナノカーボン（ポスター）

[21a-PB1-80] チタニアナノシート膜を用いた抵抗変化型メモリ動作と安定性の評価

〇佐藤 匡哉¹、原 正大²、船津 麻美²、野内 亮^1,3 (1.大阪府大院工、2.熊大院先端、3.JSTさきがけ)

キーワード：遷移金属酸化物ナノシート、抵抗変化型メモリ、酸素欠損

抵抗変化型メモリは、金属酸化物を2つの電極で挟んだ構造をしており、電圧印加に伴う酸化物の酸素欠損の形成といったメカニズムで動作する。代表的金属酸化物であるチタニアを用いた抵抗変化型メモリにおいては、これまでスパッタ法や原子層堆積法により形成されたチタニア薄膜が用いられてきた。本講演では、特有的な異方性を有する二次元的結晶構造の影響が期待されるチタニアナノシートを用いた結果について報告する。