[21a-PB1-1~86] 17 ナノカーボン（ポスター）

[21a-PB1-85] FET特性に向けた大面積ゲルマナン薄膜の堆積法の検討

〇古沢 侑也¹、山本 陸¹、久保 理¹、田畑 博史¹、片山 光浩¹ (1.阪大院工)

キーワード：ゲルマナン、FET特性

ゲルマナンは水素終端されたGe原子で構成されている2次元層状物質である。約1.5 eVの直接バンドギャップを持ち、約1.8×10⁴ cm²/Vsと高い移動度を持つなど優れた物性が予測されている。しかし、ゲルマナンの研究は進んでおらず、先行研究でも理想的な特性が得られていない。また、大面積のゲルマナン薄膜の作製法も確立されていない。本研究では、FET特性を測定するため大面積ゲルマナン薄膜を剥離しSiO₂/Si基板上への堆積を行った結果を報告する。