[21p-B12-1~5] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[21p-B12-2] Study on application of reverse-bias voltage to p-type c-Si photovoltaic module after PID stress test

〇Nobukazu Kameyama¹, Fumitaka Ohashi¹, Yasushi Sobajima¹, Hiroki Yoshida¹, Atsushi Masuda², Syuichi Nonomura¹ (1.Gifu Univ., 2.AIST)

Keywords:potential induced degradation, c-Si solar cell

発電電圧の高い太陽光発電システムにおいて，電圧誘起劣化(Potential Induced Degradation: PID)が生じることがある．これはNaイオンなどの不純物がセル内部にシャントパスを形成するためと考えられている．本研究では，多結晶Si太陽電池でシャント抵抗の回復が報告されている逆バイアス電圧印加法を単結晶Si太陽電池に適用し，その回復効果を検証する．