[21p-B12-1~5] 16.3 シリコン系太陽電池

[21p-B12-2] PID試験後のp型単結晶Si太陽電池モジュールへの逆バイアス電圧印加法の検討

〇亀山 展和¹、大橋 史隆¹、傍島 靖¹、吉田 弘樹¹、増田 淳²、野々村 修一¹ (1.岐大工、2.産総研)

キーワード：電圧誘起劣化、単結晶シリコン太陽電池

発電電圧の高い太陽光発電システムにおいて，電圧誘起劣化(Potential Induced Degradation: PID)が生じることがある．これはNaイオンなどの不純物がセル内部にシャントパスを形成するためと考えられている．本研究では，多結晶Si太陽電池でシャント抵抗の回復が報告されている逆バイアス電圧印加法を単結晶Si太陽電池に適用し，その回復効果を検証する．