[21p-B31-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-B31-11] Sn: β型酸化ガリウムのドーパント局所構造II

〇三木 一司¹、柳田 健之²、佐々木 公平³、唐 佳藝¹、河口 範明²、山腰 茂伸⁴、倉又 朗人³ (1.兵庫県立大工、2.奈良先端大、3.ノベルクリスタル、4.タムラ製作所)

キーワード：半導体、アニール、ワイドギャップ酸化物

Siドープのｎ型β型酸化ガリウムのアニールは雰囲気依存性をX線照射発光測定により調べた結果を報告する。