[21p-B31-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-B31-12] Pna2₁-(In_xM_1-x)O₃(M=Al,Ga)の弾性定数、圧電定数および自発分極の第一原理計算

〇長谷川 諄¹、島田 和宏¹ (1.関東学院大院工)

キーワード：セスキ酸化物、第一原理計算

本研究では、In₂O₃ とAl₂O₃およびGa₂O₃との混晶を用いたデバイス設計を想定し、第一原理計算により斜方晶Pna2₁-(In_xM_1-x)O₃(M=Al, Ga)の結晶構造と、歪みに対する結晶の応答を示す弾性定数、自発分極および圧電定数の組成依存性を調べた。格子定数にみられる組成比に対する結晶構造の非線形性の影響によって弾性定数、圧電定数および自発分極の変化も非線形となった。