[21p-B31-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-B31-7] トリハライド気相成長法によるa面sapphire基板上へのε-Ga₂O₃成長

〇江間 研太郎¹、竹川 直¹、後藤 健¹、村上 尚¹、熊谷 義直¹ (1.東京農工大院工)

キーワード：ワイドギャップ半導体、結晶成長

原料分子に金属三塩化物を用いたトリハライド気相成長法(THVPE)によるGa₂O₃成長において、成長温度を500℃とし、1段階目のCl₂供給分圧に対する2段階目のCl₂供給分圧の比(R_2nd)を変化させて、成長への影響を調査した。R_2ndを増加させることでGaCl₃を優先的に生成することが可能となり、粒子生成のない均一なGa₂O₃膜が得られることがわかった。