[21p-B32-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

[21p-B32-8] ゲート電極仕事関数の制御による塗布型有機トランジスタメモリの特性改善

〇東中屋 美帆¹、阿部 駿人¹、永瀬 隆²、小林 隆史²、内藤 裕義² (1.大阪府大、2.大阪府立大分子エレクトロニックデバイス研)

キーワード：有機フローティングゲートメモリ、塗布プロセス、ゲート電極仕事関数