[21p-B32-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

[21p-B32-9] 液晶性有機半導体Ph-BTBT-10を用いたトップコンタクト型有機トランジスタのドーピングによる接触抵抗低減

〇(M1)高丸 俊¹、半那 純一¹、飯野 裕明¹ (1.東工大未来研)

キーワード：液晶性有機半導体、Ph-BTBT-10、ドーピング

液晶性有機半導体Ph-BTBT-10は10 cm²/Vsを超える高い移動度を示す電界効果トランジスタ（FET）を実現できるが，ボトムゲートトップコンタクト型FETではコンタクト抵抗が高いことが課題として挙げられる。この課題を解決するために，本研究では有機半導体層上に電子アクセプター材料F4TCNQを堆積させドーピング分子を拡散させることで，有機半導体内部のキャリアドーピングをおこない，コンタクト抵抗を低減させることに成功した。