[21p-C309-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

[21p-C309-1] テトラゴナルジルコニアを用いたPZT単結晶薄膜の圧電特性

〇木島 健¹、茂内 健和¹、谷 幸範¹、小西 晃雄¹ (1.KRYSTAL(株))

キーワード：テトラゴナルジルコニア、単結晶PZT、何でも単結晶

ZrO₂(100)をバッファ層に用いることで、非常に高品質なPZT(001)単結晶薄膜を得ることが出来た。極点図よりPZT薄膜はSi上にCube on cubeでコヒーレント成長した結果、非常に良好なc軸単一配向膜であった。同時に非常に優れた物性(Tc≧600℃)及び圧電性(d₃₁=-250pm/V)を示した。