[21p-C309-1~9] 6.1 Ferroelectric thin films

[21p-C309-3] Investigation of the epitaxial growth of PZT thin films on Si substrates using TiN buffer layer

〇Mikio Murase¹, Naoki Okamoto¹, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:ferroelectric, PZT

PZTの圧電特性には結晶方位依存性があり、MEMS応用で大きな圧電定数を得るためにSi基板上に(100)成長させることが重要となっている。配向膜の研究が多く研究されているが、我々はさらなる高性能化を目指してRFマグネトロンスパッタリング法のみを用いて、Si上にPZT薄膜をエピタキシャル成長させることに取り組んでいる。本研究では、Si上に最初に成長させるエピタキシャルバッファ層としてTiNに着目し、その成長条件を調べた。