[21p-C309-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

[21p-C309-3] TiNバッファ層を用いたSi基板上へのPZT薄膜のエピタキシャル成長の検討

〇村瀬 幹生¹、岡本 直樹¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大工)

キーワード：強誘電体、PZT

PZTの圧電特性には結晶方位依存性があり、MEMS応用で大きな圧電定数を得るためにSi基板上に(100)成長させることが重要となっている。配向膜の研究が多く研究されているが、我々はさらなる高性能化を目指してRFマグネトロンスパッタリング法のみを用いて、Si上にPZT薄膜をエピタキシャル成長させることに取り組んでいる。本研究では、Si上に最初に成長させるエピタキシャルバッファ層としてTiNに着目し、その成長条件を調べた。