[21p-C309-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

△ [21p-C309-7] 組成相境界近傍組成のPZT膜の電界による構造変化と圧電性の評価

〇井上 英久¹、清水 荘雄¹、舟窪 浩¹ (1.東京工業大学)

キーワード：強誘電体、圧電体、PZT

我々は正方晶PZT膜において、大きな圧電特性の発現を確認し、またこのような特性を発現させるような分極処理や電界印加下において、結晶構造が大きく異なることを見出している。前回の講演会では、MOCVD法によって作製した高品質なMPB近傍組成のPZT膜においても、分極処理および電界印加下で結晶構造が大きな変化することを報告した。今回はより詳細な検討を行ったので報告する。