[21p-C309-1~9] 6.1 Ferroelectric thin films

[21p-C309-9] Crystal orientation analysis of MEMS device using precession electron diffraction and relationship with device characteristics

〇Ryosuke Fujimoto¹, Mitsunobu Yasuda¹, Yuko Shinozaki¹, Naohiko Kawasaki¹, Yuji Otsuka¹ (1.TRC)

Keywords:ferroelectric device, ACOM-TEM, PZT

本研究では、MEMSデバイスの低駆動電圧品と高駆動電圧品について、その結晶相、結晶配向および粒径をnmオーダーの空間分解能を有するプリセッション電子回折を用いたACOM-TEM(Automated Crystal Orientation Mapping-TEM)で分析し、デバイス特性との関連を調べた。その結果、PZT膜の平均結晶粒径と駆動電圧の間に相関がある可能性が示唆された。