[21p-C309-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

[21p-C309-9] プリセッション電子回折を用いたMEMSデバイス断面の結晶方位解析およびデバイス特性との関連

〇藤本 亮祐¹、安田 光伸¹、篠崎 夕子¹、川崎 直彦¹、大塚 祐二¹ (1.東レリサーチ)

キーワード：強誘電体デバイス、ACOM-TEM、PZT

本研究では、MEMSデバイスの低駆動電圧品と高駆動電圧品について、その結晶相、結晶配向および粒径をnmオーダーの空間分解能を有するプリセッション電子回折を用いたACOM-TEM(Automated Crystal Orientation Mapping-TEM)で分析し、デバイス特性との関連を調べた。その結果、PZT膜の平均結晶粒径と駆動電圧の間に相関がある可能性が示唆された。