2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.11 フォトニック構造・現象

[21p-E205-1~10] 3.11 フォトニック構造・現象

2019年9月21日(土) 13:15 〜 16:00 E205 (E205)

岩本 敏(東大)、野田 進(京大)

15:15 〜 15:30

[21p-E205-8] 相変化材料を用いた光バレートポロジーの制御

上村 高広1,2、千葉 永1,2、養田 大騎1,2、森竹 勇斗1、田中 祐輔2、納富 雅也1,2,3 (1.東工大理、2.NTT物性研、3.NTT NPC)

キーワード:フォトニック結晶、バレーフォトニック結晶、相変化材料

近年,電子の結晶内の運動量に着目したバレートロニクスの概念をナノフォトニクスに適用し、光波にバレー偏極や一方向伝搬などの特殊な性質を持たせる研究が盛んに行われている。従来の研究では、フォトニック結晶の構造変調によって光バレートポロジーを生成していたが、トポロジーを後から自在に制御する研究はほとんど行われていなかった。今回、相変化材料であるGST(Ge2Sb2Te5)またはGe2Sb2Se4Te1(GSST)を用いてこれを可能にする方法を見出したので、報告する。