[21p-E301-1~7] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-E301-3] Ga₂O₃ MOSFETにおける(AlGa)₂O₃バックバリア挿入による閾値電圧の正方向シフト

〇上村 崇史¹、中田 義昭¹、東脇 正高¹ (1.情通機構)

キーワード：酸化ガリウム、イオン注入ドーピング、バックバリア

サブ0.1 µmゲートGa₂O₃ MOSFETでは、短チャネル効果によるしきい値電圧（V_th）のさらなる負側へのシフトが予想される。このため、イオン注入プロセスにより作製したMOSFETに顕在するドーパント深さ分布中のテール領域に起因する深いピンチオフ特性の改善が必要となる。今回、(AlGa)₂O₃バックバリア層挿入により、イオン注入ドーピングで形成したチャネルを有するGa₂O₃ MOSFETのV_thの正方向シフトを実現した。