[21p-E301-1~7] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-E301-6] GaAs/Diamond直接接合の界面評価

〇中村 祐志¹、清水 康雄²、大野 裕²、詹 天卓³、山下 雄一郎⁴、白崎 謙次²、永井 康介²、渡邊 孝信³、嘉数 誠⁵、重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪市大院工、2.東北大金研、3.早稲田大院理工、4.産総研、5.佐賀大院工)

キーワード：ダイヤモンド、半導体、GaAs