2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-E310-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月21日(土) 12:45 〜 16:00 E310 (E310)

小林 篤(東大)、難波江 宏一(ウシオオプトセミコンダクター(株))

13:15 〜 13:30

[21p-E310-3] Siイオン注入プロセスを用いた高純度HVPE-AlN基板表面のn型化

清水 裕大1、齋藤 大地1、竹川 直1、後藤 健1、永島 徹2、山本 玲緒2、Bo Monemar3、熊谷 義直1,4 (1.東京農工大院、2.株式会社トクヤマ、3.リンチョーピン大、4.東京農工大IGIR)

キーワード:イオン注入、窒化アルミニウム、ウルトラワイドバンドギャップ半導体