2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

印刷

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-E310-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月21日(土) 12:45 〜 16:00 E310 (E310)

小林 篤(東大)、難波江 宏一(ウシオオプトセミコンダクター(株))

13:30 〜 13:45

[21p-E310-4] InGaN underlying layerがAlGaN/GaN HEMTのデバイス特性に与える影響

〇(M1)野村 俊文1、板倉 秀之1、田村 元希2、岡田 成仁1,2、只友 一行1,2 (1.山口大院・創成科学、2.山口大学工学部)

キーワード：HMET、AlGaN/GaN、underlying layer