らせん転位およびMg不純物を含むGaNの電子構造解析

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15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-E310-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月21日(土) 12:45 〜 16:00 E310 (E310)

小林篤(東大)、難波江宏一(ウシオオプトセミコンダクター(株))

13:45 〜 14:00

〇中野崇志¹、原嶋庸介²、長川健太²、洗平昌晃^2,1、白石賢二^2,1、押山淳²、草場彰³、寒川義裕^4,2、田中敦之²、本田善央^2,1、天野浩^2,1 (1.名大院工、2.名大未来研、3.学習院大計算機センター、4.九大応力研)

キーワード：窒化ガリウム、転位、電子構造