[21p-E310-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-E310-6] 第一原理計算を用いた転位および不純物がある半導体中におけるhopping伝導モデルの構築

〇原嶋 庸介¹、中野 崇志²、押山 淳¹、白石 賢二^1,2 (1.名大未来研、2.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、転位、電子構造

本研究の目的は半導体中の転位と不純物によるhopping伝導の理論モデルを構築することである。これまでにもhopping伝導の理論モデルは提案されているが、転位と不純物の混在という特殊な状況を反映することが難しい。我々は転位および不純物の混在系の状態密度を第一原理計算から求め、得られた状態密度から有効モデルを構築する。講演ではモデル導出の詳細と、電流電圧特性の例について議論する。