[21p-E310-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21p-E310-8] MOVPE成長中の極性面AlN表面における吸着原子の安定性解析

〇稲富 悠也¹、寒川 義裕^1,2,3、岩谷 素顕⁴、三宅 秀人⁵ (1.九州大工、2.九大応力研、3.名大未来研、4.名城大理工、5.三重大地域イノベ)

キーワード：窒化物半導体、MOVPE、AlN

近年、AlNを利用した小型固体UV光源の開発が進められている。極性面AlNの表面再構成に関する理論研究は数多く存在するが、それらでは最もエネルギー的に安定な再構成表面だけを予測しており各再構成表面の相対的な安定性は評価されていない。我々は各表面構造が共存する場合の配置エントロピーの影響を考慮し、成長中の極性面AlN表面の各再構成構造の存在確率を解析した。この解析結果から表面吸着原子の相対的な安定性とそこから予測される成長メカニズムについて考察した。