[21p-N302-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-N302-6] 原子層堆積法によるリン酸マグネシウム固体電解質膜の作製

〇鶴岡 徹¹、蘇 進¹、辻田 卓司²、西谷 雄²、濱村 朋史²、稲富 友²、名倉 健祐²、寺部 一弥¹ (1.物材機構、2.パナソニック(株))

キーワード：マグネシウム電解質薄膜、原子層堆積法

原子層堆積（ALD）法を用いて，リン酸マグネシウム固体電解質薄膜の作製に成功した。成膜は125℃から300℃の比較的低温で行った。作製した膜はアモルファスで，高いアスペクト比のトレンチ構造でも均一に堆積する。低温で堆積した膜の方が電気伝導度の低い活性化エネルギーを示した。これは，リン酸構造の無秩序化によってマグネシウムイオンのホッピング伝導が向上するためと考えられる。