赤沢方省

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発表者・著者、共著者

2019年3月11日(月) 13:45 〜 18:00 S223 (S223)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.8 光物性・発光デバイス

[11p-S223-1~16] 13.8 光物性・発光デバイス

15:15 〜 15:30

[11p-S223-7] Er³⁺発光デバイスに向けてのBi₂O₃ホスト薄膜の可能性

〇赤沢方省¹ (1.NTTデバイスイノベーションセンタ)

2019年3月12日(火) 09:30 〜 11:30 M113 (H113)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12a-M113-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

10:15 〜 10:30

[12a-M113-4] SiO₂上Ge成長膜の擬誘電応答関数に関するモデルとフィッテイング

〇赤沢方省¹ (1.NTTデバイスイノベーションセンタ)

2019年3月11日(月) 09:00 〜 11:30 S011 (南講義棟)

一般セッション(口頭講演)
| 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[11a-S011-1~9] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:00 〜 11:15

[11a-S011-8] GaON薄膜の結晶化

〇赤沢方省¹ (1.NTTデバイスイノベーションセンタ)