11:30 〜 11:45 [11a-M121-10] 原子拡散接合で作製したInGaAs/a-Ge/InGaAs接合部のバンド構造評価 〇山田 友輝1、魚本 幸2、島津 武仁2、名田 允洋3、中島 史人1、松崎 秀昭1 (1.NTT先端集積デバイス研究所、2.東北大学、3.NTT デバイスイノベーションセンタ)