[11a-M121-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11a-M121-10] Band-diagram estimation on InGaAs/a-Ge/InGaAs material systems fabricated by atomic-diffusion bonding

〇yuki yamada¹, Miyuki Uomoto², Takehito Shimatsu², Masahiro Nada³, Fumito Nakajima¹, Hideaki Matsuzaki¹ (1.NTT Device Technology Labs., 2.Tohoku Univ., 3.NTT Device Innovation Center)

Keywords:Wafer bonding, Band-diagram

ウエハ接合は異種材料の組み合わせによる光・電子デバイス特性の飛躍的な向上に有効な技術として注目されている。これまで我々は、InGaAsをa-Geを介して接合し、その少数キャリア応答特性を報告してきた。デバイス設計にはバンドエンジニアリングが必要であるが、接合に起因したバンドの曲りによってキャリア輸送が阻害されることが予想される。今回我々は、同材料系における接合部近傍のバンド構造を評価した結果を報告する。