17:15 〜 17:30 [9p-S422-11] 高温ガス成長法による高速レートでのφ4"長尺4H-SiC結晶の成長 〇徳田 雄一郎1、久野 裕也1、上東 秀幸1、岡本 武志1、神田 貴裕1、大矢 信之1、星乃 紀博2、鎌田 功穂2、土田 秀一2 (1.デンソー、2.電力中央研究所)