14:30 〜 14:45 [10p-W541-5] Pendeo成長GaNを下地とした3次表面グレーティングを有する横結合分布帰還型GaN系半導体レーザの設計と作製 〇高木 健太1、安藤 壮1、森岡 佳紀2、上向井 正裕2、片山 竜二2、今井 大地1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大理工、2.阪大院工)