10:00 〜 10:15 [11a-S422-3] SiドープGaAsNにおける電子活性化エネルギーのSi不純物濃度依存性 〇塚崎 貴司1、日吉 連1、藤田 実樹2、牧本 俊樹1 (1.早大理工、2.一関高専)