09:30 〜 11:30 [9a-PB3-6] イオン注入角制御による4H-SiC基板へのイオン注入高精度化 〇(B)岡田 智徳1、井上 純1、西山 文隆1、瀬崎 洋2、黒木 伸一郎1 (1.広大ナノデバイス、2.フェニテックセミコン)