14:30 〜 14:45 [11p-70A-7] ガス法で成長した4H-SiCバルク結晶における厚さ方向の転位密度変化 〇星乃 紀博1、鎌田 功穂1、徳田 雄一郎3、神田 貴裕3、杉山 尚宏2,3、土田 秀一1 (1.電中研、2.産総研、3.デンソー)