09:00 〜 09:15 [11a-W351-1] スパッタリング法により配向制御したHfO2基強誘電体厚膜の作製およびその電気特性評価 〇(P)志村 礼司郎1、三村 和仙1、清水 荘雄1、舟窪 浩1 (1.東工大物院)