11:45 〜 12:00 △ [11a-W331-8] 固相エピタキシー法によるSOI基板上GeSn MSMダイオードの作製 〇岡 博史1、水林 亘1、石川 由紀1、細井 卓治2、志村 考功2、渡部 平司2、前田 辰郎1、内田 紀行1、遠藤 和彦1 (1.産総研、2.阪大院工)