12:00 〜 12:15 [9a-W323-12] 過酸化相を核とする再結晶を利用したSi基板上VO2薄膜の配向成長 ― 基板バイアス印加スパッタ法による再結晶化 ― 〇松岡 耕平1、沖村 邦雄1 (1.東海大院工)