[9a-W323-1~12] 6.4 Thin films and New materials

[9a-W323-12] Oriented growth of VO₂ films on Si (100) through recrystallization of initially grown
VOx (x>2) phases - Recrystallization by biased reactive sputtering -

〇Kohei Matsuoka¹, Kunio Okimura¹ (1.Tokai Univ.)

Keywords:VO2, Recrystallization, Si

VO₂は68℃付近において絶縁体-金属相転移を生じ, 抵抗値が4~5桁程変化する. そのため, 汎用性の高いSi基板上へVO₂成膜することで, 様々な応用が期待できる. しかし, VO₂と格子整合を有しないSi基板上への堆積では配向成長しないため, 急峻で大きな抵抗値変化を得ることは難しい. そこで, 過酸化相を核とする再結晶を利用したSi基板上VO₂薄膜の配向成長を基板バイアス印加スパッタ法によって実現したので報告する.