09:45 〜 10:00 [10a-W922-4] MOVPE法による(211)Si基板上の n-CdTe層の厚膜化との高電子密度化に関する検討 [Ⅱ] 〇東良 悠喜1、森 拓郎1、田村 怜也1、鳥居 稜1、安形 保則1、ニラウラ マダン1、安田 和人1 (1.名古屋工業大学)