10:00 〜 10:15 [11a-M121-5] ホモエピタキシャル成長n型GaN中に2 MeV電子線照射により形成される深い準位 〇堀田 昌宏1,2、成田 哲生3、加地 徹2、上杉 勉3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研)