17:15 〜 17:30 [10p-W541-15] GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法における酸化膜の電気的評価 〇(M1C)清藤 泰旦1、牧繪 哲男1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大学、2.東京大学生産技術研究所)