11:45 〜 12:00 [10a-70A-11] 1.7 kV 100 A 4H-SiC V溝型トレンチMOSFET 〇中村 龍之介1、金田 達志1、内田 光亮1、日吉 透1、酒井 光彦1、大森 弘貴1、築野 孝1 (1.住友電工)