09:30 〜 11:30 [12a-PB4-23] InAs QD/wetting layer/GaAs構造におけるSAW誘起PL特性 -wettinglayerの特性を中心として 〇山沢 弘人1、松末 俊夫1、坂東 弘之1 (1.千葉大学融合理工)