10:15 〜 10:30 △ [10a-W241-6] 斜め堆積法を適用した反応性スパッタリング法によるInAlN膜の作製 〇中山 佳之1、細谷 昌史1、井上 泰志1、高井 治2 (1.千葉工大、2.関東学院)