14:00 〜 14:15 △ [11p-M113-3] 縦型2DHGダイヤモンドMOSFET ; ゲート幅10 mmでの大電流動作(~1 A)の達成 〇(B)西村 隼1、大井 信敬1、岩瀧 雅幸1、露崎 活人1、大久保 智1、蔭浦 泰資1、平岩 篤1,2、川原田 洋1,3 (1.早大理工、2.名大未来研、3.早大材研)