所附武志

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発表者・著者、共著者

2019年3月11日(月) 13:15 〜 17:15 M136 (H136)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.3 絶縁膜技術

[11p-M136-1~14] 13.3 絶縁膜技術

17:00 〜 17:15

[11p-M136-14] Kr/O₂プラズマ酸化法を用いたHfO₂/Ge直接接合構造の作製

〇所附武志¹、岩崎好考¹、上野智雄¹ (1.東京農工大工)