一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
09:00 〜 09:15
〇(PC)中村 友謙1、石田 暢之1、鷺坂 恵介1 (1.物材研)
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09:15 〜 09:30
〇宇佐美 茂佳1、田中 敦之2,3、福島 颯太1、安藤 悠人1、出来 真斗2、新田 州吾2、本田 善央2、天野 浩2,3,4,5 (1.名大院工、2.未来材料・システム研究所、3.物材研、4.赤﨑記念研究センター、5.VBL)
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09:30 〜 09:45
〇川崎 晟也1、福島 颯太2、宇佐美 茂佳2、安藤 悠人2、田中 敦之3,4、出来 真斗3、久志本 真希2、新田 州吾3、本田 善央3、天野 浩3,4,5,6 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研、4.物質・材料研究機構、5.赤﨑記念研究センター、6.VBL)
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09:45 〜 10:00
〇内田 智之1、杉江 隆一1 (1.東レリサーチセンター)
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10:00 〜 10:15
〇濱田 拓也1、向井 勇人1、高橋 言緒2、井手 利英2、清水 三聡2、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1、岩井 洋1、筒井 一生1 (1.東京工業大学、2.産業技術総合研究所)
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10:30 〜 10:45
〇堀切 文正1、福原 昇1、太田 博2、浅井 直美2、成田 好伸1、吉田 丈洋1、三島 友義2、渡久地 政周3、三輪 和希3、佐藤 威友3 (1.サイオクス、2.法政大、3.北大)
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10:45 〜 11:00
〇渡久地 政周1、三輪 和希1、堀切 文正2、福原 昇2、成田 好伸2、吉田 丈洋2、佐藤 威友1 (1.北大量集センター、2.サイオクス)
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11:00 〜 11:15
〇小松 祐斗1、植村 圭佑1、細見 大樹2、三好 実人2、佐藤 威友1 (1.北大量集セ、2.名工大)
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11:15 〜 11:30
〇菅原 健太1、大堀 大介2、井上 和孝1、寒川 誠二2,3 (1.住友電工、2.東北大流体研、3.東北大AIMR)
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11:30 〜 11:45
〇吉屋 佑樹1、星 拓也1、杉山 弘樹1、松崎 秀昭1 (1.NTT先端集積デバイス研)
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