一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2019年3月10日(日) 09:00 〜 12:00 W934 (W934)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇矢野 雅大1、寺澤 知潮1、町田 真一1、保田 諭1、朝岡 秀人1 (1.原子力機構先端研)
スケジュール
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09:15 〜 09:30
〇ShuJun YE1、Kikuo YAMABE1、Tetsuo ENDOH1 (1.Tohoku Univ.)
スケジュール
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09:30 〜 09:45
〇(M1)堀内 勇介1、工藤 聡也1、大見 俊一郎1 (1.東工大 工学院)
スケジュール
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09:45 〜 10:00
〇(P)工藤 聡也1、石松 慎1、堀内 勇介1、大見 俊一郎1 (1.東工大)
スケジュール
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10:00 〜 10:15
〇(D)ErinJoy Capdos Tinacba1、Michiro Isobe1、Kazuhiro Karahashi1、Satoshi Hamaguchi1 (1.Osaka Univ.)
スケジュール
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10:30 〜 10:45
〇(M2)二村 湧斗1、牧原 克典1、大田 晃生1、池田 弥央1、宮崎 誠一1 (1.名大院工)
スケジュール
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10:45 〜 11:00
〇永井 僚1、藤森 俊太郎1、前原 拓哉1、池田 弥央1、大田 晃生1、牧原 克典1、宮崎 誠一1 (1.名大院工)
スケジュール
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11:00 〜 11:15
〇(M2)牧平 真太朗1、森 伸也1 (1.阪大院工)
スケジュール
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11:15 〜 11:30
〇平野 智暉1、中田 裕己1、山下 裕登1、李 韶賢1、川合 健太郎1、山村 和也1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
スケジュール
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11:30 〜 11:45
〇(B)竹内 聡1、大堀 大介1、石田 昌久2、田中 麻美2、曽田 匡洋2、寒川 誠二1,3 (1.東北大流体研、2.長瀬産業、3.東北大AIMR)
スケジュール
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11:45 〜 12:00
〇(D)國枝 省吾1,2、今村 健太郎1,2、小林 光1,2 (1.阪大産研、2.CREST-JST)
スケジュール
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