一般セッション(口頭講演)
21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
09:00 〜 09:15
〇宇野 和行1、中村 太紀1、田中 一郎1 (1.和歌山大システム工)
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09:15 〜 09:30
〇(DC)神野 莉衣奈1、Cho Yongjin1、Lee Kevin1、Protasenko Vladimir1、Xing Huili1、Jena Debdeep1 (1.コーネル大工)
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09:30 〜 09:45
〇伊藤 利充1、尾崎 康子1、富岡 泰秀1、稲葉 英樹1、渡邊 幸志1 (1.産総研)
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09:45 〜 10:00
〇船越 拓哉1、築野 晃2、大谷 裕之3、首藤 健一1,2、向井 剛輝1,2 (1.横浜国大院理工、2.横浜国大院工、3.横浜国大院環情)
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10:00 〜 10:15
〇富岡 泰秀1、尾崎 康子1、稲葉 英樹1、伊藤 利充1 (1.産総研)
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10:30 〜 10:45
〇三木 一司1、八方 直久2、木村 耕治3、佐々木 公平4、唐 佳藝1、縄田 皓太郎1、北藤 滉1、北村 真也1、尾崎 ひかる3、久常 健太郎2、山口 亮太2、田尻 寛男5、山腰 茂伸6、林 好一3、倉又 朗人4 (1.兵庫県立大学工、2.広島市立大学、3.名工大、4.ノベルクリスタルテクノロジー、5.JASRI、6.タムラ製作所)
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10:45 〜 11:00
〇宝賀 剛1,2、知京 豊裕2、長田 貴弘2 (1.鶴岡高専、2.物質・材料研究機構)
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11:00 〜 11:15
〇赤沢 方省1 (1.NTTデバイスイノベーションセンタ)
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11:15 〜 11:30
〇大江 優輝1、生江 祐介1、松岡 明裕1、川崎 祐生1、伊藤 大智1、森谷 祐太1、富樫 理恵1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大・理工、2.上智大ナノテクセンター)
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